CMOS工藝及Bipolar工藝的比較
CMOS工藝:霍爾開關(guān)器件內(nèi)部集成了上百個甚至上千個場效應(yīng)管。
Bipolar工藝:霍爾開關(guān)器件內(nèi)部集成了上百個甚至上千個三極管。
CMOS工藝優(yōu)點:啟動電壓低,功耗低,一致性好,溫度范圍大。
CMOS工藝缺點:抗干擾能力弱,抗靜電能力弱,需做特殊的靜電保護。
Bipolar工藝優(yōu)點:可靠性高,抗干擾能力強,抗靜電能力強。
Bipolar工藝缺點:啟動電壓高,功耗高,一致性較差(需要做特殊篩選),溫度范圍較窄(需在電路內(nèi)部做溫度補償,然后經(jīng)過特殊篩選才能擴大溫度范圍)霍爾傳感器IC按工藝可分為CMOS工藝及Bipolar工藝。
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