霍爾元件是用什么材料制作的？
霍爾元件可用多種半導(dǎo)體材料制作，如Ge、Si、InSb、GaAs、InAs、InAsP以及多層半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)構(gòu)量子阱材料等等。
半導(dǎo)體中電子遷移率（電子定向運(yùn)動(dòng)的平均速度）比空穴遷移率高，因此N型半導(dǎo)體較適合于制造靈敏度高的霍爾元件霍爾元件。
常用的半導(dǎo)體材料N型硅、N型鍺、銻化銦、砷化銦和不同比例亞砷酸銦和磷酸銦組成的In型固溶體等。
其中N型鍺容易加工，其霍爾常數(shù)、溫度性能、輸出線性都較好，應(yīng)用非常普遍銻化銦元件由于在高溫時(shí)霍爾常數(shù)大，所以輸出較大，但對溫度最敏感，尤其在低溫范圍內(nèi)溫度系數(shù)大；砷化銦的霍爾常數(shù)較小，溫度系數(shù)也較小，輸出線性好；砷化鎵的溫度特性和輸出線性好，是較理想的材料，但價(jià)格較貴。不同材料適用于不同場合，銻化銦適用于作為敏感元件，鍺和砷化銦霍爾元件適用于測量指示儀表。
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