三星超臺(tái)積電率先量產(chǎn)3nm芯片
就在昨天霍爾元件 等芯片晶圓代工行業(yè)巨頭，三星電子傳來(lái)消息，三星將在下周全球率先量產(chǎn)3nm芯片
韓聯(lián)社6月22日?qǐng)?bào)道稱(chēng)，消息人士透露，三星將在下周對(duì)外公布，率先量產(chǎn)環(huán)繞閘極技術(shù)(GAA，Gate-all-around)架構(gòu)的3nm制程。3nm芯片確定量產(chǎn)后，三星電子將在先進(jìn)芯片制造技術(shù)方面超越競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手臺(tái)積電。
實(shí)際上，6月21日韓國(guó)媒體BusinessKorea就曾報(bào)道稱(chēng)，由于良率遠(yuǎn)低于目標(biāo)，三星3納米芯片量產(chǎn)將再延后。但22日上午，三星否認(rèn)了這一傳言。
5月20日，美國(guó)總統(tǒng)拜登訪(fǎng)韓，三星電子展示GAA 3nm制程技術(shù)
據(jù)悉，GAA工藝與現(xiàn)有的FinFET工藝相比，可減少芯片面積和消耗的電力，更加準(zhǔn)確地控制電流。目前FinFET工藝僅能接觸到晶體管的三面，GAA工藝對(duì)半導(dǎo)體晶體管結(jié)構(gòu)進(jìn)行改進(jìn)，使柵極可接觸到晶體管的四面。
此外，與5納米工藝相比，三星3納米工藝將半導(dǎo)體性能和電池效率分別提高了15%和30%，同時(shí)芯片面積減少了35%。
韓美兩國(guó)領(lǐng)導(dǎo)人簽署的3納米半導(dǎo)體晶圓原型，圖源：韓聯(lián)社
此前TrendForce的研究數(shù)據(jù)顯示，三星電子2022年第一季度的代工銷(xiāo)售額為53.28億美元，較去年第四季度下降3.9%，也是全球前十大代工廠中唯一一家在第一季度銷(xiāo)售額落后的廠商。
業(yè)界相關(guān)人士稱(chēng)，三星量產(chǎn)基于GAA工藝的3納米芯片后，若能保持穩(wěn)定的良品率，晶圓代工市場(chǎng)的版圖或?qū)⒅匦赂膶?xiě)。
同類(lèi)文章排行
- 傳感需求多變，MEMS器件集合體IMU如何應(yīng)對(duì)
- 美國(guó)允許三星、SK海力士和臺(tái)積電在中國(guó)
- 韓媒：韓國(guó)芯片對(duì)中國(guó)太依賴(lài)了
- GPU出貨速度下降驚人
- 談?wù)動(dòng)⑻貭柺紫こ處烳urthy Renduchintala
- 談?wù)勌O(píng)果M1首席芯片設(shè)計(jì)師Jeff Wilcox
- 談?wù)凙MD Zen首席架構(gòu)師Mike Clark
- 談?wù)剛髡f(shuō)級(jí)芯片設(shè)計(jì)師Jim Keller
- 芯片內(nèi)部是如何互聯(lián)的
- 臺(tái)積電美國(guó)廠舉行移機(jī)典禮
最新資訊文章
- 傳感需求多變，MEMS器件集合體IMU如何應(yīng)對(duì)
- 美國(guó)允許三星、SK海力士和臺(tái)積電在中國(guó)
- 韓媒：韓國(guó)芯片對(duì)中國(guó)太依賴(lài)了
- GPU出貨速度下降驚人
- 談?wù)動(dòng)⑻貭柺紫こ處烳urthy Renduchintala
- 談?wù)勌O(píng)果M1首席芯片設(shè)計(jì)師Jeff Wilcox
- 談?wù)凙MD Zen首席架構(gòu)師Mike Clark
- 談?wù)剛髡f(shuō)級(jí)芯片設(shè)計(jì)師Jim Keller
- 芯片內(nèi)部是如何互聯(lián)的
- 臺(tái)積電美國(guó)廠舉行移機(jī)典禮
- 芯片技術(shù)愈加復(fù)雜，成本越來(lái)越高
- 高通第二代驍龍8：AI蓄力，點(diǎn)燃5G
- 半導(dǎo)體逆風(fēng)，臺(tái)積電卻毫發(fā)無(wú)損
- 華邦電子：中科廠減產(chǎn)逾3成
