制作霍爾元件的小知識(shí),看過(guò)來(lái)

為了提高霍爾元件的穩(wěn)定性和可靠性,在制備過(guò)程中,需要對(duì)其進(jìn)行鈍化。傳統(tǒng)的鈍化工藝,一般采用PECVD方法生長(zhǎng)S12或Si3N4來(lái)進(jìn)行鈍化。在鈍化過(guò)程中,等離子體會(huì)對(duì)材料表面產(chǎn)生損傷,從而導(dǎo)致?lián)p傷部位產(chǎn)生缺陷,缺陷會(huì)導(dǎo)致電子傳輸?shù)牟痪鶆?,從而引起不平衡電壓增大。另一方面,這些缺陷會(huì)隨著溫度及電場(chǎng)等外部條件的變化而變化,嚴(yán)重影響霍爾元件的穩(wěn)定性和可靠性下降,不利于霍爾元件的長(zhǎng)期使用。
對(duì)于半導(dǎo)體突變異質(zhì)結(jié),由于導(dǎo)帶底能量突變量的存在,則在界面附近出現(xiàn)有“尖峰”和“凹口”;實(shí)際上,對(duì)異質(zhì)結(jié)中導(dǎo)帶電子的作用而言,該“尖峰”也就是電子的勢(shì)皇,“凹口”也就是電子的勢(shì)阱,如果“凹口”的勢(shì)阱足夠大,則其中的電子只能在勢(shì)阱中沿著平面的各個(gè)方向運(yùn)動(dòng),即為二維運(yùn)動(dòng)的電子,形成二維電子氣。
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