如何檢測霍爾效應(yīng)開環(huán)電流
一次電流產(chǎn)生的磁場會在磁性電路的間隙中生成線性磁通量B,磁通量B會在霍爾發(fā)生器中感應(yīng)成比例的霍爾電壓VH。然后這個電壓被電子電路放大,得到一個與一次電流成比例的輸出模擬信號。HX系列可以測量DC電流和AC電流,以及相控整流器、有源電源轉(zhuǎn)換器、PWM轉(zhuǎn)換器和開關(guān)式電源中復(fù)雜的電流波形。輸出電壓一直是一次電流的真映像。
抗dv/dt噪聲能力
在設(shè)計驅(qū)動器控制和開關(guān)設(shè)備時,工程師遇到的其中一個問題是整流期間快速電壓變化導(dǎo)致的高dv/dt噪聲。
電源半導(dǎo)體技術(shù)一直在不斷發(fā)展?,F(xiàn)在,許多半導(dǎo)體產(chǎn)品大樣本中都可以看到整流速度非常高的IGBT。因此,當(dāng)前通用逆電器一般會以很高的開關(guān)頻率工作,通常在20 kHz以上。在這么高的頻率上工作的好處包括波形更平滑、操作更安全、效率更高。
開關(guān)設(shè)備每次開關(guān)時產(chǎn)生的高dv/dt值將在主電纜和傳感器的電子電路之間產(chǎn)生電容電流。大多數(shù)模擬線性放大器對這種寄生電流很靈敏。因此,dv/dt噪聲將被疊加在輸出信號上。根據(jù)變動電壓的幅度和斜坡,初始尖峰和后來的振蕩有時會非常高,以致它們會激活傳感器的電流保護電路,進(jìn)而使逆電器暫停運轉(zhuǎn)。LEM的經(jīng)驗在系列設(shè)計階段幫助保證了對關(guān)鍵噪聲的完美免疫力,而又不會損害帶寬,因此HX的性能要超過其它類似的霍爾傳感器。
對階躍電流的超快速響應(yīng)時間對IGBT短路保護必不可少。HX系列可以以50A/ms以上的速度,準(zhǔn)確追蹤電流變化,對階躍電流的響應(yīng)最快為3ms。
設(shè)計工程師經(jīng)常面臨的另一個棘手問題是可用空間。小型傳感器有助于解決這個問題,傳感器重僅8克,要求的安裝面積只有15 x 19 mm。但眾所周知,當(dāng)這種傳感器并排放在三相應(yīng)用中時,各自的一次電流可能會影響其它傳感器的電子器件。在并排安裝在三相應(yīng)用中時,電流傳感器引起的相互干擾非常小。
專用版HX傳感器有兩個一次線圈,這兩個線圈既可以串聯(lián),也可以并聯(lián)。在某些逆電器應(yīng)用中,可以使用一對這樣的傳感器,測量所有三個相位,每個傳感器兩個相位。這消除了對第三個單元的需要,有助于降低成本。AC測試電壓(50 Hz, 1分鐘)是3 kVRMS,間隙/漏電距離超過5.5mm,使這些傳感器特別適合中低功率范圍中的隔離電流測量。
同類文章排行
- 傳感需求多變,MEMS器件集合體IMU如何應(yīng)對
- 美國允許三星、SK海力士和臺積電在中國
- 韓媒:韓國芯片對中國太依賴了
- GPU出貨速度下降驚人
- 談?wù)動⑻貭柺紫こ處烳urthy Renduchintala
- 談?wù)勌O果M1首席芯片設(shè)計師Jeff Wilcox
- 談?wù)凙MD Zen首席架構(gòu)師Mike Clark
- 談?wù)剛髡f級芯片設(shè)計師Jim Keller
- 芯片內(nèi)部是如何互聯(lián)的
- 臺積電美國廠舉行移機典禮
最新資訊文章
- 傳感需求多變,MEMS器件集合體IMU如何應(yīng)對
- 美國允許三星、SK海力士和臺積電在中國
- 韓媒:韓國芯片對中國太依賴了
- GPU出貨速度下降驚人
- 談?wù)動⑻貭柺紫こ處烳urthy Renduchintala
- 談?wù)勌O果M1首席芯片設(shè)計師Jeff Wilcox
- 談?wù)凙MD Zen首席架構(gòu)師Mike Clark
- 談?wù)剛髡f級芯片設(shè)計師Jim Keller
- 芯片內(nèi)部是如何互聯(lián)的
- 臺積電美國廠舉行移機典禮
- 芯片技術(shù)愈加復(fù)雜,成本越來越高
- 高通第二代驍龍8:AI蓄力,點燃5G
- 半導(dǎo)體逆風(fēng),臺積電卻毫發(fā)無損
- 華邦電子:中科廠減產(chǎn)逾3成