霍爾元件是應(yīng)用霍爾效應(yīng)的半導(dǎo)體
霍爾元件可用多種半導(dǎo)體材料制作,如Ge、Si、InSb、GaAs、InAs、InAsP以及多層半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)構(gòu)量子阱材料等等.
霍爾元件是一種基于霍爾效應(yīng)的磁傳感器。用它們可以檢測磁場及其變化,可在各種與磁場有關(guān)的場合中使用。
霍爾元件件具有許多優(yōu)點,它們的結(jié)構(gòu)牢固,體積小,重量輕,壽命長,安裝方便,功耗小,頻率高(可達1MHZ),耐震動,不怕灰塵、油污、水汽及鹽霧等的污染或腐蝕。
霍爾線性器件的精度高、線性度好;霍爾開關(guān)器件無觸點、無磨損、輸出波形清晰、無抖動、無回跳、位置重復(fù)精度高(可達μm 級),采用了各種補償和保護措施,霍爾元件的工作溫度范圍寬,可達-55℃~150℃。
霍爾電位差 UH 的基本關(guān)系為
UH=RHIB/d (18)
RH=1/nq(金屬) (19)
式中 RH--霍爾系數(shù):
n--單位體積內(nèi)載流子(自由電子和空穴)的個數(shù)
q--電子電量;
I--通過的電流;
霍爾元件
霍爾元件
B--垂直于I的磁感應(yīng)強度;
d--導(dǎo)體的厚度。
對于半導(dǎo)體和鐵磁金屬,霍爾系數(shù)表達式與式(19)不同,此處從略。
由于通電導(dǎo)線周圍存在磁場,其大小與導(dǎo)線中的電流成正比,其優(yōu)點是不與被測電路發(fā)生電接觸,不影響被測電路,不消耗被測電源的功率,特別適合于大電流傳感。
利用這種方法可以構(gòu)成霍爾功率傳感器。
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